ZKD-III高壓開關(guān)真空度測(cè)量?jī)x  的詳細(xì)介紹

ZKD-III高壓開關(guān)真空度測(cè)量?jī)x

一、主要特點(diǎn)

◆基于電離電荷的采樣技術(shù)
真空斷路器是電力系統(tǒng)中普遍使用的高壓電器，其核心部件是真空滅弧室，由于滅弧室是以真空條件作為工作基礎(chǔ)的，所以它不象油開關(guān)，SF6開關(guān)那樣容易檢測(cè)其質(zhì)量。傳統(tǒng)上，用戶判斷滅弧室真空度的方法是工頻耐壓法，這種方法只能粗略判斷真空度嚴(yán)重劣化的滅弧室。
ZKD-III型真空度測(cè)試儀是真空滅弧室的真空度的鑒定設(shè)備，它以磁控放電為原理，以單片計(jì)算機(jī)為主控單元，測(cè)試過程*實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。該儀器的采樣設(shè)計(jì)一改以往采用電流峰值做標(biāo)定的方法，而采用離子電荷來做標(biāo)定。這樣，有效地抑制了測(cè)試過程中瞬態(tài)電源的干擾，使測(cè)試穩(wěn)定可靠。由于采用計(jì)算機(jī)為主控單元，該儀器能很方便地扣除由于環(huán)境因素產(chǎn)生的漏電電流。本儀器突出的特點(diǎn)是：實(shí)現(xiàn)了真空滅弧室的免拆卸測(cè)量，直接顯示真空度值，使真空斷路器用戶詳細(xì)掌握滅弧室的真空狀態(tài)，為有計(jì)劃地更換滅弧室提供了可靠的依據(jù)，為電網(wǎng)的安全運(yùn)行提供了有力保障，克服了工頻耐壓法僅能判斷滅弧室是否報(bào)廢的缺陷。 本儀器測(cè)量精度高，操作簡(jiǎn)單，攜帶方便，抗干擾能力強(qiáng)，特別適用于供電單位現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，是真空斷路器生產(chǎn)、安裝、調(diào)試、維修的*儀器之一。 

ZKD-III測(cè)試原理 
將滅弧室的兩觸頭拉開一定的開距，施加脈沖高壓，將電磁線圈環(huán)繞于滅弧室的外側(cè)，向線圈通以大電流，從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖磁場(chǎng)，這樣在脈沖磁場(chǎng)的作用下，滅弧室中的電子做螺旋運(yùn)動(dòng)，并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離，所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成比例關(guān)系。對(duì)于不同的真空管，在同等真空度條件下，離子電流的大小也不相同，當(dāng)測(cè)知離子電流后，通過離子電流一真空度曲線，由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成真空度的計(jì)算，并顯示真空度值。 

◆漏電電流的處理
對(duì)處于分?jǐn)酄顟B(tài)的真空滅弧室兩端加高壓時(shí)，會(huì)有數(shù)值不等的幾個(gè)微安的漏電電流，此漏電電流即使是同型號(hào)的真空滅弧室也有較大的個(gè)體差異。尤其是對(duì)于裝在整機(jī)上的真空滅弧室，由于其周邊的絕緣支撐件也有漏電，這些漏電的總和有更大的不穩(wěn)定性和不可預(yù)測(cè)性，并且在數(shù)值上與10-4Pa數(shù)量級(jí)的真空滅弧室的電離電流相當(dāng)。我們采用兩次起動(dòng)高壓的方法，扣除了漏電電流，保證了無論是裝于整機(jī)上還是待裝的真空滅弧室的真空計(jì)量精度。

◆內(nèi)置多條真空滅弧室的測(cè)量曲線
真空滅弧室由于其幾何尺寸、材料的不同，當(dāng)內(nèi)部真空度和外加激勵(lì)電源一定時(shí)，其放電電荷量是不同的，并且有相當(dāng)?shù)牟町?。為?zhǔn)確測(cè)量，對(duì)每一種真空滅弧室必須有對(duì)應(yīng)的從電離電荷量到真空度的推算曲線。我廠 的專家通過與國(guó)內(nèi)主要真空滅弧室生產(chǎn)廠家的密切合作，取得了很多真空滅弧室的電離電荷和真空度關(guān)系的數(shù)據(jù)，通過數(shù)學(xué)處理，將其特征參數(shù)送入ZKD-III系列產(chǎn)品。因此,ZKD-III系列產(chǎn)品內(nèi)置了很多真空滅弧室的測(cè)量曲線。這是國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品中*的。

◆完善的輸入保護(hù)電路
當(dāng)真空滅弧室的真空度非常低時(shí)，測(cè)量時(shí)真空滅弧室會(huì)被高壓擊穿，瞬間的高壓直接加至信號(hào)輸入端的采樣電路上，使其承受十分強(qiáng)的電沖擊。ZKD-III的信號(hào)輸入端的采樣電路增加了完備的保護(hù)電路，即使儀器由于輸入端的高壓沖擊而發(fā)生暫時(shí)工作不正常時(shí)（重新開機(jī)即可），也不會(huì)造成電路部分的損壞。

ZKD-III技術(shù)參數(shù)

1. 真空度測(cè)量范圍： 1×10-1～1×10-5

2. 測(cè) 量 誤 差： ＜10%

3. 測(cè) 量 分 辨 率： 10-5pa

4. 允許環(huán)境溫度： -20℃～50℃